Ein p-Kanal-MOSFET (PMOS) ist ein elektronisches Bauteil, das in der Halbleitertechnologie eingesetzt wird. Es handelt sich um einen Transistor, der überwiegend für negativ gepolte Gate-Spannungen fertigungstechnisch aufgebaut wird. Im Gegensatz zu n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen den Ladungsträger bilden, werden bei PMOS-Transistoren Löcher als Ladungsträger verwendet.
PMOS-Transistoren funktionieren nach dem Prinzip der Feldwirkung des elektrischen Feldes einer pn-Übergangsdiode. In der gebräuchlichsten Variante wird das Gate negativ geladen, wodurch eine Depletionsschicht erzeugt wird und der MOSFET in den Sperrzustand übergeht. Bei einer positiven Gate-Spannung (positive Vgs) wird die Depletionsschicht reduziert und der Transistor leitfähig.
Die Hauptvorteile von PMOS-Transistoren sind ihre gute Störfestigkeit (aufgrund positiver Vgs), ihr effizienter Stromantrieb und ihre hohe Leistungsfähigkeit. Sie eignen sich besonders für Anwendungen, bei denen niedrigere Geschwindigkeiten erforderlich sind, beispielsweise in der Schaltnetzteil- und Hochspannungstechnik.
PMOS-Transistoren werden häufig in Kombination mit n-Kanal-MOSFETs verwendet, um CMOS-Schaltungen (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) zu bilden. CMOS-Schaltungen bieten den Vorteil eines geringen Leistungsverbrauchs und werden in nahezu allen modernen digitalen integrierten Schaltungen (ICs) eingesetzt, wie z. B. Mikroprozessoren, Speicherchips und Logikchips.
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