Eine Schottky-Diode ist eine Halbleiterdiode, die im Allgemeinen aus einer Metallschicht und einem Halbleitermaterial besteht. Sie wurde nach dem deutschen Physiker Walter H. Schottky benannt.
Im Gegensatz zu herkömmlichen pn-Übergangsdioden hat die Schottky-Diode eine Metallschicht anstelle einer p-dotierten Halbleiterschicht. Dies führt zu einer geringeren Durchlassspannung (typischerweise etwa 0,3 bis 0,5 Volt), einem schnelleren Schaltverhalten und niedrigeren Schalteigenschaften insgesamt.
Die Schottky-Diode weist eine asymmetrische Strom-Spannungs-Charakteristik auf. Sie hat eine schnelle Schaltzeit, eine hohe Rückstromfestigkeit und eine niedrige Durchlassspannung. Aufgrund dieser Eigenschaften findet die Schottky-Diode in vielen Anwendungen Verwendung, wie beispielsweise als Gleichrichter in Schaltnetzteilen, als Schutzelement in invertierten Stromkreisen und als Hochgeschwindigkeits-Dioden in integrierten Schaltungen.
Die Schottky-Diode hat jedoch auch einige Nachteile. Durch den Metall-Halbleiter-Übergang entsteht eine Schottky-Barriere, die zu einem höheren Leckstrom führt. Außerdem ist die maximale Sperrspannung begrenzt (typischerweise einige Dutzend Volt). Daher ist sie in Anwendungen mit hohen Sperrspannungen nicht geeignet.
Insgesamt ist die Schottky-Diode eine weit verbreitete und beliebte Diode aufgrund ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und geringen Durchlassspannung.
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